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DMP2004DWK-7  与  BSD223P H6327  区别

型号 DMP2004DWK-7 BSD223P H6327
唯样编号 A3-DMP2004DWK-7 A-BSD223P H6327
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 Dual P-Channel 20 V 900 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SOT-363
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 900mΩ@430mA,4.5V 700mΩ
上升时间 - 5ns
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 250mW 250mW
Qg-栅极电荷 - -620pC
栅极电压Vgs - 12V
正向跨导 - 最小值 - 350mS
典型关闭延迟时间 - 5.1ns
FET类型 P-Channel 2P-Channel
封装/外壳 SOT-363 -
工作温度 -65°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 0.43A 390mA
通道数量 - 2Channel
配置 - Dual
系列 - BSD223
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 175pF @ 16V -
长度 - 2.00mm
下降时间 - 3.2ns
典型接通延迟时间 - 3.8ns
高度 - 0.90mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP2004DWK-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-363

暂无价格 0 当前型号
NTJD4152PT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-363

暂无价格 6,000 对比
NTJD4152PT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-363

¥1.177 

阶梯数 价格
50: ¥1.177
200: ¥0.902
1,500: ¥0.7843
1,878 对比
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